【摘 要】
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近年来,基于电阻转变效应的新一代非易失性存储器件——阻变存储器ReRAM受到人们的广泛关注.我们采用溶胶凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钙钛矿晶体结构的BiFe0.95Mn0.05
【机 构】
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中山大学理工学院光电材料和技术国家重点实验室,广州,510275
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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近年来,基于电阻转变效应的新一代非易失性存储器件——阻变存储器ReRAM受到人们的广泛关注.我们采用溶胶凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钙钛矿晶体结构的BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)多铁性薄膜,并研究了Pt/BFMO/Pt结构器件的电流电压特性、耐久特性以及保持特性,结果表明该结构器件具有良好的双极性电阻转变性能.
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