GaN/Si纳米孔柱阵列的制备及研究

• 作 者: Yarui Wan Xiaobo Wang Changbao Han Xiaobo Meng Lixia Su Xinjian Li 万亚蕊 王小波 韩昌报 孟晓波 苏丽霞 李新建
• 机 构: School of Physics and electronics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052
• 出 处: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2012年期
• 关键词: GaN纳米结构 硅纳米孔柱阵列 发光峰 六方纤锌矿结构 场发射扫描电镜 化学气相沉积 氮化镓 逐渐增强

　　用普通的化学气相沉积(CVD)技术,在高温真空管式炉中利用金属镓与氨气的反应在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)表面沉积GaN纳米结构。用场发射扫描电镜(FESEM)来研究其形貌；X射线衍射(XRD)表明氮化镓为六方纤锌矿结构：氮化镓在大约360 nm处出现本征峰,同时还有位于550 nm处的宽的黄光峰：电致发光图谱显示,它在大约550 nm和810nm处均有一个发光峰,随着电压的增大,810 nm处的发光峰逐渐增强,其强度在1OV时超过了550 nm处发光峰的强度。