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卤化物钙钛矿材料正在成为一种非常有前景的高性能光电器件材料，它们也因此在全球范围内吸引了广泛关注。在这个工作中，我们首次报道了一种用化学气相沉积(CVD)手段在纳米氧化铝模板中生长有序的三维MAPbI3 纳米线阵列的方法。这种独特的CVD技术利用竖直纳米通道底部的铅金属纳米簇来开始高质量MAPbI3 纳米线的生长。由于这种纳米通道的形貌如周期、直径以及深度可以在很大程度上得到精确控制，因此，这种有序的三维纳米线阵列能够达到非常高的密度。