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In<,1-x>Ga<,x>P中缺陷的俘获行为
【机 构】
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科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京),曲阜师范大学物理
【出 处】
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第八届全国发光学术会议
【发表日期】
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1998年期
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