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【摘 要】
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该文基于器件内部载流总量的分析方法、计算机模拟和实验结果，进行的薄层、亚微米ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件与ＩＣ的理论研究，尤其着重于瞬态性能的分析。薄层、亚微米ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件优良的性能，使得其可以实现新一
【机 构】
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航空航天部陕西微电子学研究所
【出 处】
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全国第六届IC CAD学术年会
【发表日期】
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1991年期
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