电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析

来源 :第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) | 被引量 : 0次 | 上传用户:sjtshuaige
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应用蒙特卡罗方法模拟计算了质子入射科学级电荷耦合器件(Charge-coupled Device,简称CCD)结构中的能量沉积,并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量,辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化规律.研究结果显示,暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致;退火后暗信号大幅度降低,辐照导致的表面暗信号增加占总暗信号增加的比例至少为80%;退火后电荷转移效率恢复较小,电荷转移效率降低的原因主要为体缺陷.通过总结试验规律,推导出了电荷转移效率退化程度的预估公式及其损伤因子kdamage.
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