A[*v15*]型V[*v3*]Ga超导材料研究

• 作 者: 夏慧 王燕 温桂琴
• 机 构: 北京有色金属研究总院
• 出 处: 全国首届材料科学与工程学术年会
• 发表日期: 1986年期
• 关键词: 超导材料 应力状态 液氦温度 稀土元素 生长效率 能力提高 临界温度 金属研究 细晶粒 青铜法 超导体 组态 载流 芯材 设计 基体 基础 基材 成果 北京

介绍了北京有色金属研究总院V[*v3*]Ga超导材料改良青铜法研究的最新成果。研究了向CuGa基体中分别添加Mg、Al、Sn、Ti及稀土元素RE的效果，在MgRE复合添后取得了最佳效果：加速了V[*v3*]Ga生长效率，获得了细晶粒，能使载流能力提高1倍左右，临界温度提高0．5K。同时，设计了新型基材与芯材的组态，改善了在生成V[*v3*]Ga的过程中及在液氦温度下V[*v3*]Ga承受的应力状态。这为进一步开展实用V[*v3*]Ga超导体研究提供了良好基础。（本刊录）