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ＩｎＧａＡｓＰＩＮ－ＦＥＴ前放混合电路组件的灵敏度远高于分立元件的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电二极管。该文对ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电二极管与场效应晶体管前置放大器的混合电路组态作了分析，并叙述了混合集成电路工艺和该探测器的性能。
InGaAs PIN-FET前放混合电路组件
【摘 要】
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ＩｎＧａＡｓＰＩＮ－ＦＥＴ前放混合电路组件的灵敏度远高于分立元件的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电二极管。该文对ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电二极管与场效应晶体管前置放大器的混合电路组态作了分析，并叙述了混合集成电路工艺和该探测器的性能。
【机 构】
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技术物理研究所(成都)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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