论文部分内容阅读
金属亚波长孔阵列偏振透射机制
【机 构】
:
首都师范大学物理系,北京100048清华大学物理系,北京100084
【出 处】
:
第十五届全国凝聚态光学性质学术会议(OPCM'2010)
【发表日期】
:
2010年8期
其他文献
利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭,仅为
会议
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,对N掺杂闪锌矿结构InSb晶体的电子结构和电子性质进行了研究.研究发现掺N后体系的晶格常数明显减小,体系总能量降低,掺杂后带隙随