【摘 要】
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提出了具有横向局域寿命控制的功率IOC-FRD(IOC-FRD：Ideal Ohm Contact-Fast Recovery Diode)器件。借助电荷分析法，获得该器件的等效少子寿命的解析式，从而建立了存储时间的表达式。仿真分析结果表明：该结构器件的反向恢复时间比IOC-FRD更短；在正向导通压降和反向恢复时间之间折衷时具有更大的灵活性；局域寿命控制区位于N+区域之上能更好地减小反向恢复时间。
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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提出了具有横向局域寿命控制的功率IOC-FRD(IOC-FRD：Ideal Ohm Contact-Fast Recovery Diode)器件。借助电荷分析法，获得该器件的等效少子寿命的解析式，从而建立了存储时间的表达式。仿真分析结果表明：该结构器件的反向恢复时间比IOC-FRD更短；在正向导通压降和反向恢复时间之间折衷时具有更大的灵活性；局域寿命控制区位于N+区域之上能更好地减小反向恢复时间。
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