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用自制的聚硅烷为抗蚀剂，分别用酚醛树脂、聚氨脂树脂和醇酸树脂作平坦层以３０８ｎｍＸｅＣｌ准分子激光为刻蚀光源，采用接近式曝光方式，通过Ｏ〈，２〉－ＲＩＥ对显影后图形进行处理，实现了亚微一宽的掩模图形向树脂平层的转移，初步对树脂平坦层、聚硅烷结构、分子量、曝光、显影、刻蚀等工艺条件进行了探讨。
以聚硅烷为抗蚀剂的激光光刻研究
【摘 要】
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用自制的聚硅烷为抗蚀剂，分别用酚醛树脂、聚氨脂树脂和醇酸树脂作平坦层以３０８ｎｍＸｅＣｌ准分子激光为刻蚀光源，采用接近式曝光方式，通过Ｏ〈，２〉－ＲＩＥ对显影后图形进行处理，实现了亚微一宽的掩模图形向
【机 构】
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大学化学系(成都)
【出 处】
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第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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1999年期
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