含Cd缓冲层在底衬Sb2Se3太阳电池中的应用研究进展

• 作 者: 李志强 李刚 梁晓杨 陈静伟 沈凯 麦耀华
• 机 构: 物理科学与技术学院,河北大学,保定,071002 新能源技术研究院,暨南大学,广州,510632
• 出 处: 2018第二届全国太阳能材料与太阳能电池学术研讨会
• 发表日期: 2018年11期
• 关键词: Sb2Se3 薄膜太阳电池 缓冲层

　　硒化锑(Sb2Se3)化合物具有物相单一稳定、吸收系数高、禁带宽度合适、组成元素地壳丰度高等优点,是一种很有潜力的无机化合物薄膜太阳电池光吸收层材料[1,2].硫化镉(CdS)是一种优良的缓冲层材料,对整个器件的转换效率提升起着非常重要的作用.本报告着重介绍课题组在含CdS基缓冲层的Sb2Se3太阳电池方面的研究进展：1、溅射制备CdS缓冲层：水浴法(CBD)制备的CdS/Sb2Se3电池存在杂质,溅射制备的CdS会损伤CdS/Sb2Se3界面,通过CBD制备lOnm的CdS保护层,溅射法制备70nm的CdS缓冲层,经过低温退火是弥补损伤,最终电池转换效率达到5.25％；