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We report a facile method to prepare thin film of Si nanocrystals embedded SiO2(Si-NC:SiO2)by annealing a photoresist of hydrogen silsesquioxane(HSQ)at 1100℃ in nitrogen via a phase separation process.The spatial density,photoluminescence intensity,the photoluminescence efficiency and electroluminescence intensity of Si-NC of the sample made from HSQ,or HSQ sample,were 15.0,5.5,1.5 and 7.9 times as large as those of the sample made by a traditional method of annealing SiOx(1
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