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利用ＵＨＶ／ＣＶＤ系统生长了锗硅碳外延层，对样品进行了二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深度剖析，外延层中含一定量的碳，已形成了锗硅碳三元合金。样品的高分辨电镜（ＨＲＴＥＭ）可以看出，外延层与衬底之间完全共格，无明显的界面层，外延层晶体质量良好。结果表明，碳的掺入有效地缓解了锗硅外延层中的应变，改善了外延层的晶体质量，从而有利于提高材料的稳定性。