GaN——第三代半导体的代表

• 作 者: 梁春广;
• 机 构: 工业部第十三研究所(石家庄)
• 出 处: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: GaN 半导体

GaN是第三代半导体的代表。该文叙述了GaN材料的优良特性，制造微波高温半导体器件的研究动态和应用前景，尤其是GzNLED和LD近几年令人瞩目的进展以及在大屏幕全色显示、交通信号灯、汽车尾灯、甚至固体照明灯以及高速超大容量CD-ROM信息存贮等方面应用的诱人前景。因此，GaN材料和器件既是科学家们的研究前沿，又是企业家们巨大市场竞争的焦点。