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近几年来，ｎｍＳｉ－ＳｉＯ〈，Ｘ〉（Ｘ＜２）即富纳米硅－－二氧化硅薄膜具有较高的发光效率和稳定的发光性能，使制作发光硅器件成为可能。该文着重讲述用反应蒸发法制备好这种薄膜后在不同的气氛和温度下进行热处理，讨论退火条件对薄膜晶体结构的影响。
退火对硅--氧化硅薄膜晶体结构的影响
【摘 要】
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近几年来，ｎｍＳｉ－ＳｉＯ〈，Ｘ〉（Ｘ＜２）即富纳米硅－－二氧化硅薄膜具有较高的发光效率和稳定的发光性能，使制作发光硅器件成为可能。该文着重讲述用反应蒸发法制备好这种薄膜后在不同的气氛和温度下进行热
【机 构】
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大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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