【摘 要】
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ZnSe 是重要的、优良的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有直接跃迁型能带结构.本文采用电化学沉积法在不同基体上制备了 ZnSe 薄膜,考察基体、沉积电位、沉积时间等因素对薄膜成分
【机 构】
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东北大学理学院化学系,辽宁沈阳,110819
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ZnSe 是重要的、优良的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有直接跃迁型能带结构.本文采用电化学沉积法在不同基体上制备了 ZnSe 薄膜,考察基体、沉积电位、沉积时间等因素对薄膜成分及其结构的影响,并考察其在可见光激发下的光催化性能.结果表明：基体对沉积的物相成分和形貌有较大的影响.Zn 基体比 Cu 基体更有利于 ZnSe 的形成.不同沉积电位下制备的 ZnSe,其光催化降解甲基橙的性能有较大的区别.在-0.6V恒电位沉积 2h 得到的 ZnSe 薄膜降解效率最高,降解效率达到 90％,并分析了影响其光催化性能的主要因素.
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