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DKDP晶体生长中的几个问题研讨
【机 构】
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北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100124
【出 处】
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第十六届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2012年8期
其他文献
InP具有高电光转换效率、强抗辐射能力、易于制成半绝缘材料、作为太阳能电池材料的转换效率高等优点.这些特性决定InP材料在固态发光、微波通信、光纤通信、卫星等民用和军事领域的应用十分广阔.
:在室温下通过施加单轴应变,采用反射差分光谱观察到半绝缘GaAs 的平面内光学各向异性.我们发现随着单轴应变的增加,E0 和E0+D0,E1 和E1+D1[1]附近的光学各向异性增加.
会议
以4-甲基吡啶碘盐、对甲苯磺酸银和对二甲氨基苯甲醛为原料,以哌啶为催化剂,通过缩合反应制备出了片状的4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐(DAST前驱体).研究了影响DAST前驱体合成的因素,利用X-射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱对DAST前驱体的结构进行了表征,对比了合成条件对前驱体成分及结构的影响,分析了影响前驱体合成的作用机理.