【摘 要】
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用GEN-Ⅱ MBE设备生长AlGaAs/GaAs调制掺杂结构材料.通过对MBE生长工艺中影响GaAs,AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了用GEN-Ⅱ MBE设备生长AlGaAs/GaAs调制掺杂结
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用GEN-Ⅱ MBE设备生长Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂结构材料.通过对MBE生长工艺中影响GaAs,AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了用GEN-Ⅱ MBE设备生长Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂结构工艺,得到了高质量的Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂结构材料.用范德堡法,电化学C-V法和PL谱法研究了该材料,证明该材料具有良好的特性.用该材料研制HEMT器件也有较好的结果.
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