【摘 要】
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采用分子束外延(MBE)方法,并结合原位退火生长技术在Si(001)基片上制备了Tm2O3 薄膜,XRD 测量结果表明所制备的样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS 电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3 和Al/Tm2O3 的势垒高度分别为2.95 eV 和1.8 eV.从能带的角度表明Tm2O3 是一种很有前途的高K 栅介质候选材料.
【机 构】
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绍兴文理学院物电系, 浙江 312000 太原理工大学物理与光电工程学院, 山西 030024
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采用分子束外延(MBE)方法,并结合原位退火生长技术在Si(001)基片上制备了Tm2O3 薄膜,XRD 测量结果表明所制备的样品为单晶Tm2O3.在低温环境下,采用MOS 电容结构对薄膜进行I-V测试,研究了样品的F-N隧穿特性,得出Pt/Tm2O3 和Al/Tm2O3 的势垒高度分别为2.95 eV 和1.8 eV.从能带的角度表明Tm2O3 是一种很有前途的高K 栅介质候选材料.
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