【摘 要】
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介绍了一种硅化钛双层多晶硅自对准工艺技术。它是在双层多晶硅自对准技术基础上，采用薄外延和高压氧化形成器件制作区域，利用快速退火在多晶硅表面自对准形成钛硅化物（Ｔｉ－－Ｓａｌｉｃｉｄｅ技术），硅化
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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介绍了一种硅化钛双层多晶硅自对准工艺技术。它是在双层多晶硅自对准技术基础上，采用薄外延和高压氧化形成器件制作区域，利用快速退火在多晶硅表面自对准形成钛硅化物（Ｔｉ－－Ｓａｌｉｃｉｄｅ技术），硅化钛＋多晶硅复合结构减小多晶硅寄生效应。利用该工艺制作的硅化钛双层多晶硅自对准晶体管具有较好的电特性，其ｆ〈，Ｔ〉可达４ＧＨｚ。
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