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Orientation Effects in Ballistic High-Strained P-type Si Nanowire FETs
【机 构】
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Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education,Southeast University,Nanjing,Jiangsu,CHINA
【出 处】
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中国微米纳米技术学会第十届学术年会暨第一届国际会议(1st International Conference of th
【发表日期】
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2008年期
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