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<正>SiC是第三代半导体材料的典型代表,它具有宽禁带、高热导率、高临界击穿电场、高电子迁移率、耐辐照、耐化学腐蚀等性能,在光电子和微电子领域均有重要的应用前景。与第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs相比,SiC单晶的结构质量有待进一步改进,其中典型生长缺陷的存在影响晶体材料的应用。
SiC单晶中生长缺陷的研究进展
【摘 要】
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<正>SiC是第三代半导体材料的典型代表,它具有宽禁带、高热导率、高临界击穿电场、高电子迁移率、耐辐照、耐化学腐蚀等性能,在光电子和微电子领域均有重要的应用前景。与第
【发表日期】
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2012年期
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