用于复合介质基片的工艺研究

• 作 者: 丁世昌[1]胡蕴珠[2]
• 机 构: 北京理工大学
• 出 处: 1989年全国微波会议
• 发表日期: 1989年期
• 关键词: 复合介质基片 化学抛光 印刷电路板(材料) 集成电路工艺

该文研究了在复合介质双面敷铜箔基片上刻蚀微细线条的技术，由实验结果提出，用化学抛光技术减薄敷铜箔厚度；用Cu-L铜箔清洗剂处理基片，可有效地去除铜表面的氧化层并改善基片的表面状态，采用这些行步骤，可以在复合介质基片上刻蚀出17微米线宽的电路图形。后一种方法亦适用于蒸发铜薄膜的Al[*v2*]O[*v3*]陶瓷基片。经该文处理过的基片用电镀法镀铜或镀金，其结合牢度最好，合格率接近100℅。（本刊录 ）