【摘 要】
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通过研究N*-SmC*(chiral nematic-chiral smectic C)相变过程中降温速率对N*-SmC*相序铁电液晶排列的影响,在N*-SmC*相变过程中首次采用淬火的办法制备了貌似单畴的微畴APD(alternative polari zation domain)模式排列的N*-SmC*相序铁电液晶器件,获得静态对比度可达250:1的器件,器件的电光特性为"V"字型翻转曲线,并
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,吉林 长春 130033 中国科学院研究生院,北京 100039
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通过研究N*-SmC*(chiral nematic-chiral smectic C)相变过程中降温速率对N*-SmC*相序铁电液晶排列的影响,在N*-SmC*相变过程中首次采用淬火的办法制备了貌似单畴的微畴APD(alternative polari zation domain)模式排列的N*-SmC*相序铁电液晶器件,获得静态对比度可达250:1的器件,器件的电光特性为"V"字型翻转曲线,并且提供了N*-SmC*相变过程中不施加交流电场制备微畴APD模式排列的N*-SmC*相序铁电液晶器件的新方法-淬火.
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