Ni(111)表面Graphene的结构及5-8晶界生长研究

来源 :中国物理学会2011年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gogoxincheng

【摘要】

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Graphene存在着各种类型的缺陷[1-4],实验观测到Ni(111)表面的Graphene产生5-8线性拓扑缺陷结构的晶界,并且晶界表现出金属线的特性[5].我们采用分子动力学模拟方法研究了Graphene在Ni(111)表面的生长行为,Graphene在Ni(111)表面表现出Top-Hcp、Top-Fcc和Hcp-Fcc三种典型原子占位结构,其结构稳定性以Top-Fcc最好,Top-Fcc

【作者】

：

黄牛武张凯旺钟建新

【机构】

：

湘潭大学材料与光电物理学院,湖南湘潭 411105

【出处】

：

中国物理学会2011年秋季学术会议

【发表日期】

：

2011年9期

【关键词】

：

Graphene 表面生长拓扑缺陷晶界

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