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在Si衬底上制备了不同厚度的Nb超导薄膜。分别测量了不同温度和磁场下的R-T和Ⅳ曲线。实验结果表明，零场、4K时的临界电流大于106A/cm2；临界温度随着膜厚减薄而降低。临界电流和电阻与磁场方向有关，表现出各向异性。
Nb薄膜超导电流的磁场和温度关系及其各向异性
【摘 要】
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在Si衬底上制备了不同厚度的Nb超导薄膜。分别测量了不同温度和磁场下的R-T和Ⅳ曲线。实验结果表明，零场、4K时的临界电流大于106A/cm2；临界温度随着膜厚减薄而降低。临界电流和电阻与磁场方向有关，表现出各向异性。
【机 构】
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南京大学物理学院;南京大学超导材料和物理研究中心 南京大学物理学院
【出 处】
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第十三届全国超导学术研讨会
【发表日期】
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2015年9期
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