ICP辅助高功率脉冲磁控溅射制备高N掺杂P型ZnO薄膜

• 作 者: 张海涛 刘忠伟 陈强
• 机 构: 北京印刷学院等离子体物理与材料研究室102600
• 出 处: 第十七届全国等离子体科学技术会议
• 发表日期: 2015年8期
• 关键词: 半导体薄膜 P型氧化锌 氮掺杂 磁控溅射

HPPMS对N2的解离效果明显优于DC，并可以获得p-ZnO薄膜;ICP辅助HPPMS不仅有利于解离率的进一步提高，还以利于结晶和抑制本征缺陷的形成。获得的p-ZnO载子浓度较低，可能因素为:虽然N2的解离度提高，但存在一定量的N以(N2)0形式掺入对受主进行补偿效应;N掺杂浓度过高后，相近的N0之间可能会发生结合形成(N2)0补偿受主，导致P型退化(不稳定)。