【摘 要】
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In this work.the manipulation of phosphorus diffusion as well as the reduction of the specific contact resistivity in Ge by carbon co-doping is explored.it is found that there is an optimum condition
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In this work.the manipulation of phosphorus diffusion as well as the reduction of the specific contact resistivity in Ge by carbon co-doping is explored.it is found that there is an optimum condition for carbon implantation to suppress the rapid P diffusion effectively.
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