【摘 要】
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智能剥离(smart cut)技术是近年来刚刚兴起的一种新型的形成SOI材料的方法.它所形成的SOI材料其顶层硅膜具备单体晶硅的优点,同时又克服了利用普通键合技术形成SOI材料的减薄
【机 构】
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北京师范大学射线技术与材料改性教育部重点实验室(北京)
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
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智能剥离(smart cut)技术是近年来刚刚兴起的一种新型的形成SOI材料的方法.它所形成的SOI材料其顶层硅膜具备单体晶硅的优点,同时又克服了利用普通键合技术形成SOI材料的减薄困难,是当前SOI技术研究中的前沿领域.本文讨论了智能剥离技术中的一些问题,包括:(1)SOI材料的表面缺陷(泡,微空洞,边缘缺陷等)的形貌,起源及消除办法;(2)给出SOI材料顶层硅内重金属杂质分布的SIMS测量结果.
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