【摘 要】
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研制比较了AlGaAs/InGaAs单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT).由于采用了双平面掺杂和双异质结结构,DH-PHEMT能将载流子更好的限制在沟道中,得到
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
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研制比较了Al<,0.24>Ga<,0.76>As/In<,0.22>Ga<,0.78>As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT).由于采用了双平面掺杂和双异质结结构,DH-PHEMT能将载流子更好的限制在沟道中,得到更大的二维电子气浓度和更均匀的二维电子气分布,这些都有利于提高器件的性能.因此,DH-PHEMT器件具有更好的线性度,在较大的栅压范围内具有高的跨导和更大的电流驱动能力.这说明DH-PHEMT器件更加适用于高线性应用的微波功率器件.
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