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电子束蒸发在InN/sapphire 上沉积了Cu 薄膜,使用热氧化法制备了单晶Cu2O 薄膜.相比于Cu2O/GaN,由于Cu2O 和InN 之间发生了30°的面内旋转减小了晶格失配,在InN 上生长的Cu2O 显示出更好的晶体性质.
借助InN外延层以提高Cu2O薄膜的结构与电学性质
【摘 要】
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电子束蒸发在InN/sapphire 上沉积了Cu 薄膜,使用热氧化法制备了单晶Cu2O 薄膜.相比于Cu2O/GaN,由于Cu2O 和InN 之间发生了30°的面内旋转减小了晶格失配,在InN 上生长的Cu2O
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院,人工微结构教育部重点实验室
【出 处】
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中国物理学会2011年秋季学术会议
【发表日期】
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2011年9期
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