【摘 要】
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飞秒激光是一种有效的半导体微加工技术,但对于加工后半导体的电学性质研究较少。经激光诱导电流(LBIC)检测实验表明P型碲镉汞经飞秒激光刻蚀的区域的局域电学性质反型(由
【机 构】
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上海大学理学院物理系,上海200444
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飞秒激光是一种有效的半导体微加工技术,但对于加工后半导体的电学性质研究较少。经激光诱导电流(LBIC)检测实验表明P型碲镉汞经飞秒激光刻蚀的区域的局域电学性质反型(由P型转变为N型),激光能流密度对碲镉汞反型有极大影响。同时研究了镓锑铋等化合物半导体材料,发现镓锑铋刻蚀区域的电学性质有明显变化。
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