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本文论述了利用扫描隧道显微镜(STM)的阳极氧化原理,在Si表面加工形成氧化线的过程,讨论了氧化电压,扫描频率和环境湿度对氧化的影响,并且对加工纳米结构器件作发初步探讨.
扫描隧道显微镜在Si表面纳米结构加工的研究
【摘 要】
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本文论述了利用扫描隧道显微镜(STM)的阳极氧化原理,在Si表面加工形成氧化线的过程,讨论了氧化电压,扫描频率和环境湿度对氧化的影响,并且对加工纳米结构器件作发初步探讨.
【机 构】
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上海交通大学微/纳米科学技术研究院(上海)
【出 处】
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第四届全国微米/纳米技术学术会议
【发表日期】
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2000年期
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