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该工作用750MeV氩离子在室温下对单晶硅样品进行了辐照，用正电子寿命测量技术对辐照产生的缺陷进行了研究。
用正电子寿命测量技术研究高能氩离子辐照在硅中产生的缺陷
【摘 要】
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该工作用750MeV氩离子在室温下对单晶硅样品进行了辐照，用正电子寿命测量技术对辐照产生的缺陷进行了研究。
【机 构】
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中国科学院近代物理研究所(兰州)
【出 处】
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全国第七届正电子湮没学术会议
【发表日期】
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1999年4期
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