【摘 要】
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本文主要以YVO作为基质材料,考虑掺杂稀土金属Tm、Er和Yb离子,用高温提拉法生长出Tm:Er:YVO、Tm:Yb:YVO晶体,并对晶体原料的合成、表征、生长工艺与晶体生长缺陷进行了研究与
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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本文主要以YVO<,4>作为基质材料,考虑掺杂稀土金属Tm<3+>、Er<3+>和Yb<3+>离子,用高温提拉法生长出Tm:Er:YVO<,4>、Tm:Yb:YVO<,4>晶体,并对晶体原料的合成、表征、生长工艺与晶体生长缺陷进行了研究与探讨.研究结果表明,原料合成的最佳酸碱条件是pH=7,负压化料和退火等生长工艺的控制对减少和消除晶体的缺陷都有一定的积极作用.
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