高稳功率介质振荡器的研究

• 作 者: 王占利 王朋 赵瑞华
• 机 构: 中国电子科技集团公司电子第十三研究所,石家庄,050051
• 出 处: 2007年全国微波毫米波会议
• 发表日期: 2007年期
• 关键词: 稳功率 介质振荡器 摄氏度 相位噪声 温度范围 输出功率 频率变化 高稳定度 电路结构 大功率 制作 体积 数值 频偏 毫瓦 毫米 波段

本文介绍了一种高稳定度的GaAsFET大功率介质振荡器.该振荡器采用漏极输出的电路结构,很好的解决了功率、频稳、相噪等关键问题。在C波段,本介质振荡器输出功率可达到150毫瓦,并在-40摄氏度到70摄氏度的温度范围内频率变化小于0.6MHz,该介质振荡器的相位噪声在频偏5KHz处的数值低于-90dBc/Hz .制作的体积为50×50×30毫米.