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本文介绍了利用分子动力学方法研究单晶、纳晶碳化硅(SiC)材料在辐照环境中的结构演化和相应力学性质的改变。首先从原子尺度下研究了单晶SiC辐照缺陷的演化规律以及非晶化的驱动机制。对于纳晶SiC,利用分子动力学方法计算了扭转型晶界能量与扭转角度的关系,由计算结果建立了两种较为稳定的含有扭转型晶界的双晶构型。通过对缺陷分析和统计后发现晶界的存在没有对缺陷的数量和种类造成明显影响,但是会对缺陷的分布造成影响。并发现辐照可以促进纳晶SiC晶界的变形,使其向韧性转变。