氢化物气相外延法生长GaN厚膜的数值模拟

• 作 者: 田吉利 张化宇 汪桂根 韩杰才 崔林 孙瑞 王立熠
• 机 构: 哈尔滨工业大学深圳研究生院,广东省深圳市,518055哈尔滨工业大学深圳研究生院,广东省深圳市,518055;哈尔滨工业大学,黑龙江省哈尔滨市,150001
• 出 处: 第十六届全国晶体生长与材料学术会议
• 发表日期: 2012年10期
• 关键词: GaN 氢化物气相外延 数值模拟 工艺优化

GaN材料作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,有着十分广泛的应用.氢化物气相外延法由于其生长速度快,可以生长均匀、大尺寸GaN厚膜,近年来再次成为人们研究的热点.文中对GaN晶体生长过程中工艺参数的优化及热应力和位错等问题进行了研究.运用基于有限元法的HEpiGaNS软件对氢化物气相外延生长氮化镓的过程进行了模拟,模拟软件集成了热量和质量传输,生长动力学,热应力和位错等模块.