【摘 要】
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一维纳米材料由于其新颖的物理化学性质以及可作为纳米器件的构筑基元,因此吸引了广泛关注。而宽带隙的Ⅱ-iv 族半导体由于其在光电领域有着潜在应用前景,所以可控合成一
【机 构】
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福建物质结构研究所,结构化学国家重点实验室, 350002, 福州
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一维纳米材料由于其新颖的物理化学性质以及可作为纳米器件的构筑基元,因此吸引了广泛关注。而宽带隙的Ⅱ-iv 族半导体由于其在光电领域有着潜在应用前景,所以可控合成一维纳米结构的Ⅱ-iv 族半导体也广受关注。相比确定带隙的二元半导体,可控合成三元带隙可调的半导体更有利于实现对其物理化学性质的调控。其中对于ZnSxSe1-x 一维纳米结构的可控合成,之前只有通过气相沉积的方法来实现[1,2]。本课题组,首次通过液相可控合成的方法得到一维ZnSxSe1-x 纳米棒。
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