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如何提高硅基薄膜太阳电池的稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题。为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性，本文重点研究了N/P 隧穿结和微晶硅底电池本征层氢稀释率梯度对叠层电池光稳定性的影响。经过初步的优化，连续光照 1000 小时后非晶硅/微晶硅叠层电池的最小光致衰退率只有7％。