【摘 要】
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本文采用低温三步共蒸发工艺分别在苏打玻璃衬底和聚酰亚胺(PI)衬底上沉积了多晶Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)薄膜。从SEM图可以观察到随着衬底温度的升高,CICS薄膜的颗粒尺寸
【机 构】
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南开大学,薄膜器件与技术研究所,天津,300071
【出 处】
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第三届空间材料及其应用技术学术交流会
论文部分内容阅读
本文采用低温三步共蒸发工艺分别在苏打玻璃衬底和聚酰亚胺(PI)衬底上沉积了多晶Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)薄膜。从SEM图可以观察到随着衬底温度的升高,CICS薄膜的颗粒尺寸逐渐增大且密集紧凑。XRD测试表明：PI衬底上生长的贫Cu和接近化学计量比的CIGS薄膜中存在着二次相(In0.70Ga0.30)2Se3；而在富Cu的薄膜中,表现为二次相(In0.70Ga0.30)2Se3和Cu2-xSe两相共存。霍耳效应测试表明当薄膜生长温度低于500℃时,载流子浓度低于1015量级,当沉积温度高于500℃时,载流子浓度达到1016量级。最后,在CIGS薄膜生长温度为450℃时,PI衬底柔性CIGS电池的转换效率达到了9.7％(有效面积,0.87cm2)。
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