La-Ca-Mn-O中Sm和Gd的替代效应

• 作 者: 刘宜华 张汝贞 王成建 岳龙强 秀刚 栾开政 梅良模
• 机 构: 山东大学物理系(山东济南)
• 出 处: 第四届中国功能材料及其应用学术会议
• 发表日期: 2001年期
• 关键词: 电阻比 材料 相变温度 稀土掺杂 居里温度 晶格效应 绝缘体 多晶体 电阻率 掺杂量 烧结 金属 解释 峰值

在La<,0.67>Ca<,0.33>MnO<,3>烧结多晶体中进行了掺Sm和掺Gd研究,结果发现,随着掺杂量的增加,材料的金属-绝缘体相变温度逐渐降低,对应的峰值电阻率急剧增大,居里温度逐渐下降,材料的磁电阻比迅速提高.用13℅的Sm或11℅的Gd替代La后,可以使材料磁电阻比提高一个数量级.对稀土掺杂的作用可以用晶格效应来解释.