原位电子束诱导碲化锑(Sb2Te3)及硅掺杂的晶化

来源 :2006年全国电子显微学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jpjxn
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Sb2Te3是一种基础的功能材料,在掺杂基础上主要应用其温差电特性作为新型能源如太阳能和应用其固态相变特性作为随机存储器的关键材料.其中下一代基于CMOS(complementary metal oxide semiconductor)技术的电脉冲致相变随机存储器需要在GeTe-Sb2Te3体系的背景下寻找更合适的材料.电脉冲和高速运动的电子在材料中有近似的作用,利用透射电子显微镜可以进行原位电子束诱发晶化过程的显微结构变化研究. 对200℃退火处理的薄膜样品做了电子衍射分析,结果显示其由面心立方和六方结构的相组成.其中六方结构相是晶体的面心立方结构相在电子显微分析过程中受电子辐照影响而发生相变的结果.基于电子束对晶化行为的影响,本文对比研究了Sb2Te3及其掺杂1%硅样品的晶化行为.与200℃退火处理样品得到的结果比较,掺杂Si后Sb2Te3的晶化顺序明显改变.在120kV加速电压的大于1h的电子束辐照诱导下,发现明显的体心立方晶化相,这和没有掺杂的材料在相同条件下的晶化行为不同.后者在120kV下迅速晶化为六方相.晶化的体心立方相在电子束辐照下稳定存在。
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