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本文采用高分辨X射线衍射仪(HR-XRD)、显微聚焦拉曼光谱仪、偏光显微镜等对SiC晶片以及整个晶锭中结晶缺陷的分布进行了表征，重点研究了SiC的结晶缺陷和多晶型分布、形成及演化的规律以及与生长条件的关系，为优化SiC晶体生长条件、提高晶体结晶质量提供了有益参考。
SiC晶体结晶缺陷分布演化研究
【摘 要】
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本文采用高分辨X射线衍射仪(HR-XRD)、显微聚焦拉曼光谱仪、偏光显微镜等对SiC晶片以及整个晶锭中结晶缺陷的分布进行了表征，重点研究了SiC的结晶缺陷和多晶型分布、形成
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
【出 处】
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第十八届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2011年8期
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