Positive Gate Bias Instability in Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors with various Active Layer

来源 :2015广东材料发展论坛——新材料与先进制造大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong432

【作者】

：

Shaozhi DENG Gongtan LI Ningsheng XU Boru YANG Chuan LIU Changcheng LO Chiayu LEE Chihyuan TSENG Alan LIEN Hanping D.SHIEH

【机构】

：

State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies,School of Physics and Engineering,

【出处】

：

2015广东材料发展论坛——新材料与先进制造大会

【发表日期】

：

2015年期

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