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本文给出了一种新的低温生长方面制备具有窄量子阱的GaAs/AlGaAs多量子阱结构,使其具有高电阻率的尖锐的激子特征,实验证明该生长方法对制备高质量的光折变材料是有效的.
低温下生长高质量的GaAs/AlGaAs多量子阱
【摘 要】
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本文给出了一种新的低温生长方面制备具有窄量子阱的GaAs/AlGaAs多量子阱结构,使其具有高电阻率的尖锐的激子特征,实验证明该生长方法对制备高质量的光折变材料是有效的.
【机 构】
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凝聚态物理中心,中国科学院物理研究所(北京)
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年期
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