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非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)具有高的迁移率、高的光学透过率、低的制备温度和低成本等优点,因此在下一代平板显示中有着重要的应用.尽管a-IGZO TFT表现出了较好的器件性能,但是其在栅极正偏压下的电学稳定性仍然不能满足实际应用的需要.
具有氮掺杂InGaZnO界面插入层的高稳定性非晶InGaZnO基薄膜晶体管
【摘 要】
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非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)具有高的迁移率、高的光学透过率、低的制备温度和低成本等优点,因此在下一代平板显示中有着重要的应用.尽管a-IGZO TFT表现出了较好的器
【机 构】
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江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学电子科学与工程学院,南京210093
【出 处】
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第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2013年7期
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