【摘 要】
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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线由于其独特的物理、化学性能，近十年来吸引大量的研究.InAs 纳米线是Ⅲ-Ⅴ 族半导体纳米线的典型代表之一.我们利用分子束外延的方法，在GaAs{111}B 的衬底上制备出来不同结构的无缺陷InAs 纳米线，包括纤锌矿结构的，闪锌矿结构、取向的InAs 纳米线1.利用FIB 中的系列技术，我们将不同结构的单根纳米线挑选出，并固定于透射电镜的铜载网上，在透射电镜中实现了原位外力作
【机 构】
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北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京 100124;昆士兰大学电镜中心,布里斯班 4067 昆
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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线由于其独特的物理、化学性能，近十年来吸引大量的研究.InAs 纳米线是Ⅲ-Ⅴ 族半导体纳米线的典型代表之一.我们利用分子束外延的方法，在GaAs{111}B 的衬底上制备出来不同结构的无缺陷InAs 纳米线，包括纤锌矿结构的<0001>，闪锌矿结构<110>、<100>取向的InAs 纳米线1.利用FIB 中的系列技术，我们将不同结构的单根纳米线挑选出，并固定于透射电镜的铜载网上，在透射电镜中实现了原位外力作用下单根纳米线的电输运特性的研究.
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