【摘 要】
：
将5种不同折射率的液晶分别填入实芯光子晶体光纤的空气孔中,通过改变外场条件,研究其输出光谱的变化规律,并进行了理论模拟分析。结果表明：填充液晶后,输出光谱由全通变为多个波峰的带隙式；同时,液晶的折射率差值越大, 其波峰位置越向长波长方向移动,且相对光强的对比度可以达到16 dB；温度由20℃上升到85 ℃时,波峰向短波长方向移动,最大调控范围可达41 nm；调节电压从0—250 V,输出光谱的相对
【机 构】
：
哈尔滨工程大学,纤维集成光学教育部重点实验室,哈尔滨 150001 哈尔滨工业大学,物理系,哈尔滨
论文部分内容阅读
将5种不同折射率的液晶分别填入实芯光子晶体光纤的空气孔中,通过改变外场条件,研究其输出光谱的变化规律,并进行了理论模拟分析。结果表明：填充液晶后,输出光谱由全通变为多个波峰的带隙式；同时,液晶的折射率差值越大, 其波峰位置越向长波长方向移动,且相对光强的对比度可以达到16 dB；温度由20℃上升到85 ℃时,波峰向短波长方向移动,最大调控范围可达41 nm；调节电压从0—250 V,输出光谱的相对光强变小,但波峰具有较好的稳定性；在室温下, 波峰不随入射光偏振态的变化而变化。进一步,将液晶注入到光子晶体光纤的两端,通过温度控制分别可以实现光的分束与开关两种功能,实现了光控制功能的集成。
其他文献
High mobility Ⅲ-Ⅴ semiconductors have attracted a great deal of interest for future high performance metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,considered as candidates to replace strained-Si.
The thermoelectric properties of two-dimensional graphyne sheets are investigated by using first-principles calculation and Boltzmann transport equation method.The electronic structure indicates a sem
The Hexagonal boron nitride(h-BN)substrate has been reported that it can improve the carrier mobility of thin films [1].And the improvement makes the thin film a better candidate for nanoelectronics.
Topological insulator is an insulator in which the usual order of conduction band and valence band is inverted at odd number of time-reversal invariant crystal momenta(Gamma,three X,four L in zincblen
小斜率算法是一种比较实用的粗糙面电磁散射计算方法，但是其需要处理的数据量比较大，计算比较耗时。在处理大粗糙面电磁散射问题时，会消耗大量内存，经常出现内存溢出问题，导致无法计算。为解决内存不足够的问题，采用硬盘存储数据的方法是一个可行方案。但这种方法的缺点是硬盘读写数据速度低，会降低计算效率。虽然可以采用辅助线程，减小硬盘与内存之间数据传输过程对计算效率的影响，但是效果有限。
Determining accurate absolute surface energies for polar surfaces of semiconductors has been a great challenge in decades.Here,we propose pseudo-hydrogen passivation to calculate them,using density fu
燃烧问题与人类生活息息相关，值得深入研究。在燃烧过程，化学反应释放出大量热能，物理系统表现出复杂的流体行为和热力学行为，如流体不稳定性(如Kelvin–Helmholtz不稳定性、Richtmyer-Meshkov不稳定性)、热力学非平衡行为等。
Using first-principles calculations,we present a theoretical study of the structural,electronic and magnetic properties of substitutional 3d transition metal(TM)impurities in two-dimensional black and
台阶自由能是界面形核与晶体生长的关键参数，但是关于固-液界面中台阶自由能的直接测量研究几乎为空白。由于固-液界面处在材料内部，实验上直接观测固-液界面性质十分困难。原子模拟技术经过20多年的发展已经成为研究固-液界面性质的主要手段。
Most of earlier nonsequential double ionization investigations have been implemented both theoretically and experimentally [1,2].However,multiple recollisions in NSDI process could make it difficult t